技术编号：11544375
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种套刻精度补正的优化方法及系统。背景技术通常采用先进制程控制(Advancedprocesscontrol，APC)来避免套刻误差(overlayerror)。套刻误差是通过显影后光学检测来进行采集，并输入值APC系统，再由APC系统反馈该批次产品工艺控制的优化设置。然而，现有的APC系统中，只是针对当层的量测值进行补正，而忽略了第一层的实际曝光图案与理论曝光图案差异形成的套刻精度的影响，如图1所示，第一层中，实际的曝光机台(tool)之间的曝光图案T1、T2与...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。