技术编号：11544815
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通信技术领域，特别是指一种触摸屏及移动终端。背景技术现有触摸屏互容式传感器的导电图案(ITO图案)一般采用双层结构，发射极TX和接收极RX。随着手机追求极限的要求提升，目标的触摸屏传感器厚度要求越来越低，双层ITO间的距离拉近，导致两层间的原始容值提升，从而触屏整体性能调试效果差。现有超薄触屏ITO结构设计由于发射端采用了挖空部分面积方式降低原始容值，当触屏背面有感应电容物质接触或靠近时，会从发射端的下面耦合到接收端的上面，上下两面都会触发到接收端信号量的变化；其由于超薄触屏背面无法抗...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。