技术编号:11546357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置、其擦除方法及编程方法,尤其涉及一种与非(NAND)型快闪存储器的编程及擦除。背景技术在快闪存储器的编程中,电子蓄积于浮动栅极,使存储胞元的阈电压向正方向转变(shift),在擦除中,自浮动栅极释放电子,使存储胞元的阈电压向负方向转变。这种编程及擦除必须以存储胞元的阈值进入“0”、“1”的分布范围内的方式进行控制,通过编程校验及擦除校验进行编程及擦除的合格与否判定(专利文献1)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2014-78308号公报[发明所要...
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