技术编号:11546684
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及FET半导体器件的制造,尤指在FinFET器件上形成应变沟道区的各种方法。背景技术在现代集成电路中,如微处理器,存储器件等,需在一受限的芯片面积上提供非常大量的电路元件,特别是晶体管。晶体管有多种外观和形式,例如,平面晶体管,FinFET晶体管,纳米线器件等。这些晶体管通常是NMOS(NFET)型器件或PMOS(PFET)型器件,其中,该“N”以及“P”的设计是基于生成该器件的源极/漏极区域所使用的掺杂剂的类型。所谓的互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxi...
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