技术编号：11546913
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件和集成电路领域，具体涉及一种高压半导体介质耐压终端。背景技术目前多子导电的高压硅功率半导体器件，其承受耐压的漂移区击穿电压和导通电阻的优化设计是互相影响和相互矛盾的，获得高击穿电压一般就很难获得低的导通电阻，一般在300V以上的高压半导体硅器件中，很大一部分导通电阻都由该器件高压漂移区占据，这种情况随着工作电压的增加也越来越严重，这就是非调制型功率器件最著名的击穿电压2.5次方与漂移区导通电阻成正比的硅理论限制。为了降低高压情况下非调制型功率器件漂移区导通电阻，针对传统的器件...
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