技术编号:11546971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及垂直腔面谐振腔增强型光电探测器,尤其涉及一种基于多孔布拉格反射镜(DBR)的InGaN基垂直腔面谐振腔增强型探测器芯片。背景技术当前,可见光通信在智能家居和智慧城市领域展现出了广阔的应用前景。作为可见光通信系统的重要环节,光接收端的光电转换效率和响应速度将直接制约可见光通信的传输距离和传输速率。目前光接收端多采用传统的Si基或GaAs、GaP基等商用半导体可见光探测器,但这类传统探测器容易受到户外复杂通信环境中的背景信号干扰。GaN及其三元化合物AlGaN和InGaN具有宽带隙以及带隙...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。