技术编号：11547030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种发光二极管。背景技术发光二极管简称为LED，具有长寿命、驱动电路简单与输出功率随温度变化不大等优点，被广泛用作中、短距离光通信系统的光源。近年来，与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展。随着高质量的Ge薄膜可以成功外延在Si衬底上，Ge薄膜在Si基发光领域取得了前所未有的进展。但是器件的发光效率仍然很低，离实用还有一定的距离。因此，如何研制出一种高发光效率的Ge发光二极管变得至关重要。发明内容为了解决现有技术中存在的上述...
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