技术编号:11553296
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及电子器件。背景技术隔离结构用来控制可存在于管芯内的高电场。隔离结构可包括交替的n型区和p型区、绝缘层或它们的组合。交替的区域可限制电子器件的设计灵活性。在另一实施方案中,可使用两个绝缘层和单个掩模来形成大的隔离区。大的隔离区可能需要沉积大量绝缘材料并且限制设备生产量。人们期望的是电子器件的进一步改进、设计的灵活性以及高的设备生产量。实用新型内容现有技术中,需要电子器件的进一步改进、设计的灵活性以及高的设备生产量。根据本实用新型的一个方面,提供了一种电子器件,该电子器件包括:衬底;被衬底...
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