技术编号:11553327
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及光电探测器件,具体地,涉及具有改进性能的光电二极管器件及光电二极管探测器。背景技术半导体光电二极管阵列通过入射光(例如,直接入射的光线,或者X射线在闪烁体中产生的可见光线)与半导体中原子发生电离反应,从而产生非平衡载流子来检测入射光的。衡量光电二极管阵列性能的参数包括分辨率、信噪比、读出速度、光响应以及像素间电荷串扰等。需要提供新的结构来改进光电二极管器件或光电二极管阵列的至少一部分性能。实用新型内容有鉴于此,本公开的目的至少部分地在于提供一种具有改进性能的光电二极管器件及光电二极管探...
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