技术编号：11560671
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及磁传感器，特别地，涉及包含磁阻元件的磁传感器。背景技术作为公开了一种磁传感器的构成的在先文献，存在日本特开平5-341026号公报(专利文献1)。专利文献1所述的磁传感器具备：磁传感器元件，构成电桥电路的多个磁阻元件形成于基板的上表面；和偏置磁铁，向磁传感器元件施加偏置磁场。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-341026号公报在专利文献1所述的磁传感器中，偏置磁铁被配置于磁传感器元件的基板的下表面一侧。因此，在多个磁阻元件与偏置磁铁之间，产生相当于基板的厚度的间隙。由于...
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