技术编号：11579094
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及硅太阳能电池片领域，尤其涉及一种用于研究硅太阳能电池片串联损失的实验网版。背景技术晶体硅太阳能电池在太阳能电池行业中所占市场份额最大，生产工艺成熟。其由多块硅太阳能电池片串并联而成，而硅太阳能电池片的串联损失影响着太阳能电池的功率输出。标准硅太阳能电池中影响串联损失大小的因素共包括六种：(1)铝层的横向电阻、(2)铝层与基区的接触电阻、(3)基区电阻、(4)发射区横向电阻、(5)银电极与发射区的接触电阻和(6)银栅线的线电阻，其中后三种因素是造成串联损失的主要影响因素。电池片的银栅...
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