技术编号:11580138
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁电阻传感器,尤其涉及一种预调制磁电阻传感器。背景技术磁电阻传感器受到1/f噪声的限制,限制分辨率在一个低的频率。调制磁场传感器的技术已经发展到将测量信号转换为相对于传感器固有噪声的更高频率,这样可以绕过传感器的1/f噪声。现有技术中包括使用磁通集中器,进一步地,通过使用MEMS相对于彼此以摆动的方式移动传感器和磁通集中器,在传感器的外部提供体积更大些的通量集中器,并且使用一种设置在磁通集中器周围的线圈进行周期性地渗透。在上述两种情况中,目的是为了周期性地改变将要测量到的磁场,该磁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。