技术编号:11586356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种半导体装置及其制造方法,特别涉及基于一拓扑绝缘体的一种可调整间隙的超薄体晶体管(ultra-thinbodytransistor)及其制造方法。背景技术半导体装置可应用于大量的电子装置,例如电脑、手机或其他的电子装置。通常可通过于半导体基板上方按序沉积绝缘或介电层,导电层和半导体层的材料,且使用微影工艺图案化不同材料层,以于其上形成电路构件或元件。晶体管为通常形成于半导体元件上的电路构件或元件。除了电容、电感、电阻、二极管、导线或其他元件之外,可依据电路设计,于一半导体元件上...
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