技术编号:11586362
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料领域,涉及一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法。背景技术硅沟道场效应晶体管(SiMOSFET)是现代集成电路最基本的组成单元,是集成电路实现运算、存储等功能的基础。衡量MOSFET器件性能高低最主要的指标是器件的开启电流,通过缩小MOSFET器件沟道长度的方法能够提升器件的性能。经过半个世纪的技术进步,MOSFET器件的特征尺寸越来越小,目前量产级的MOSFET器件沟道长度已达到20nm。进一步缩小器件尺寸的方法将导致严重的短沟道效应,难以进一步提升集成电路性能。为了解...
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