技术编号:11586496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及载置台和等离子体处理装置。背景技术在半导体器件等的电子器件的制造中,使用基板处理装置。基板处理装置一般来说包括处理容器、载置台和气体供给部。载置台设置在处理容器内。载置台包括用于在其之上载置基板的主体部和在其内部形成有制冷剂用的流路的冷却台。主体部设置在冷却台上。另外,主体部内置有加热器。气体供给部对处理容器内供给基板处理用的气体。在使用这样的基板处理装置的基板处理中,基板的温度有时设定为例如超过200℃的高温。因此,在下述的专利文献1中提出了具有提高了冷却台与主体部之间的隔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。