技术编号:11586776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体器件。背景技术近年来,关于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的代替硅(Si)或碳化硅(SiC)用作高压(HV)器件的高潜力已经引起了大量关注。GaNHEMT通常通过在外延生长的结构(包括位于GaN沟道层上的氮化铝镓(AlGaN)阻挡层)的顶面上施加欧姆源极和漏极接触件和肖特基栅极接触件制造。发明内容本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括:晶体管,包括:半导体层;有源区域,位于所述半导体层中;和导电层,当触发所述晶体管运行时,所述导电层配置为保留所述有源区...
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