技术编号:11586836
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于可电子覆写的非挥发性半导体记忆装置即快闪记忆体的结构及其读取、写入及抹除法。背景技术目前有各种各样的NOR型快闪记忆体被提案或实用化。如图16所示,作为主要的快闪记忆体的记忆元件,有浮动闸极型、以及于硅上重叠氮化硅膜再于氮化硅膜的上下重叠绝缘膜,并于氮化硅膜蓄积电荷的快闪记忆体型(下称SONOS)两种被实用化。该快闪记忆体可参照HidetoHidaka.“EvolutionofEmbeddedFlashMemoryTechnologyforMCU”,inIEEEICICDT2011,T...
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