技术编号:11586837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺技术领域,尤其涉及半导体装置及其制造方法,更具体地,涉及闪存存储器及其制造方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,半导体器件尺寸不断减小。然而,在存储器(例如,NAND型非易失性存储器)中,随着器件的小型化,栅极线(即,字线)之间的电容对器件性能影响很大。在现有的半导体工艺中,采用填充层间电介质的方法来对栅极线进行隔离,然而现有技术中的方法造成栅极之间电容较大,进而影响了器件性能。因此,如何降低栅极或栅极线之间的电容,是目前半导体工艺中的挑战之一。发明内容本发明的发明人发现了...
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