技术编号:11586856
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及三维(3D)半导体器件以及制造该3D半导体器件的方法。背景技术半导体器件已经被高度地集成以提供优良性能和低制造成本。半导体器件的集成度会影响半导体器件的制造成本,因而高集成的半导体器件可以在半导体器件的制造成本方面是有益的。传统的二维(2D)半导体器件或平面半导体器件的集成度可以由单位存储单元占据的面积确定。因此,传统的2D半导体器件的集成度可以受形成精细图案的技术影响。然而,因为昂贵的装置可以用于形成精细图案,所以2D半导体器件的集成度会受到限制。因而,三维(3D)半导体存储器件已经...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。