技术编号：11586989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及高压功率半导体器件的可靠性领域，具体的说，是一种有效降低热载流子损伤，改善热载流子注入特性，提高器件可靠性的一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型器件。适用于航天电子设备、卫星通信设备、等离子体显示设备、电子计算机、通讯系统、汽车工业等厚膜驱动器集成电路。背景技术集成电路的可靠性自从集成电路诞生之日起就是人们关注的焦点问题，其中热载流子注入(HotCarrierInjection，HCI)效应就是一个非常重要的可靠性问题，也是造成诸多电子产品失效的主要原因之一。随着节能需求的日益增...
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