技术编号:11587044
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般是关于三维半导体晶体管及其制造。尤其,本发明是关于用于三维半导体晶体管的栅极接触及其在主动区域中没有栅极至源极/漏极短路的制造。背景技术现有的鳍式场效应晶体管(FinFET)半导体结构的制造将栅极接触放置在主动区域的外部,以避免栅极接触至源极/漏极接触短路。然而,此方法可能造成设计限制并使用更多的面积。当半导体装置持续缩减时,半导体面积损耗的问题愈来愈多。因此,存在减少三维半导体晶体管的占用面积同时允许向下缩减的需求。发明内容在一个态样中,本发明通过于主动区域中形成栅极接触的方法,克服...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。