技术编号:11587233
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明内容大体有关于形成内存设备结构的方法及内存设备结构,且更特别的是,有关于以例如超越40纳米的先进技术尺度形成包括磁性随机存取内存技术的内存设备结构。背景技术目前,半导体及磁性储存技术为最常用数据储存技术中的一些。半导体内存使用基于半导体的电路组件,例如晶体管或电容器,来储存信息,而常见半导体内存芯片可能包含数百万个此类电路组件。半导体内存存在挥发性及非挥发性两种形式。在现代计算机中,主要储存器(primarystorage)几乎只由动态挥发性半导体内存或动态随机存取内存(DRAM)组成。在...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。