技术编号:11592371
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开关于一种集成电路装置,且特别涉及一种集成电路结构。背景技术于集成电路(integratedcircuits)中常使用静态随机存取存储器(SRAM)。静态随机存取记忆胞(SRAMcell)具有保存数据且无需更新(refreshing)的优点。随着集成电路的速度提升需求,静态随机存取记忆胞的读取速率(readspeed)与写入速率(writespeed)亦变的更为重要。然而,随着已经非常小的静态随机存取记忆胞尺寸的日益微缩,便很难实现上述需求。举例来说,形成静态随机存取记忆胞的字元线与位元线的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。