技术编号:11592395
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及电子电路例如多次可编程(multi-timeprogrammable;MTP)型非易失性存储器电路,尤其涉及MTP存储器(MTPM)单元架构以及操作方法。背景技术在高密度存储器系统中,典型的非易失性存储器单元可包括金属氧化物半导体(MOS)FET晶体管,其具有参数例如晶体管装置阈值电压,例如,通过向浮置栅极或栅极氧化物注入电荷可改变该参数以储存想要的信息。因此,在确定偏置状态时该存储器单元所灌电流依据该存储器单元中所储存的信息而变化。例如,为在典型的双晶体管存储器单元中储存信息,针...
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