技术编号：11592704
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及计量系统及使用计量系统的测量方法。背景技术许多半导体器件的制造包括在半导体衬底上形成沉积层。沉积层具有受控制的组合和厚度。测量在半导体衬底上形成的沉积层的厚度已得以实践。用于此种层的厚度控制的测量技术被期望具有高精确度、简单、能够在短时间内测量且唯一地确定层厚度。发明内容根据本发明的一个实施例，提供了一种用于厚度测量的方法，包括：在半导体衬底中形成注入区；在所述半导体衬底的所述注入区上形成半导体层；在所述半导体衬底的所述注入区中产生调制自由载流子；在所述半导体层和所述半导体衬底的...
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