技术编号:11592837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露实施例涉及一种半导体装置及方法。背景技术高电压金属氧化物半导体(High-voltagemetal-oxide-semiconductor,HVMOS)装置广泛用于许多电气装置中,例如输入/输出(input/output,I/O)电路、中央处理单元(centralprocessingunit,CPU)电源、功率管理系统以及交流电/直流电(alternatingcurrent/directcurrent,AC/DC)转换器。有各种形式的HVMOS装置。对称HVMOS装置可在源极侧和漏极侧上具...
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