技术编号:11592840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路结构,特别涉及一种包括具有第一子阵列以及第二子阵列的静态随机存取存储器阵列的集成电路结构。背景技术静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,静态随机存取存储器)是常用于集成电路中。静态随机存取存储器单元具有不用刷新即可保住数据的有利特征。随着对集成电路的速度要求越来越高,静态随机存取存储器单元的读取以及写入速度亦变得越来越重要。随着静态随机存取存储器单元的尺寸日益缩小,但由于原本的尺寸就已经非常小,因此上述的要求是难以实现。举例来说,形成静态随机存取...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。