技术编号:11592842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及存储器件以及制造该存储器件的方法,更具体地,涉及交叉点堆叠存储器件以及制造该交叉点堆叠存储器件的方法。背景技术为了满足对于小且轻的电子产品的日益增加的需求,通常需要高集成的半导体器件。为此,已经提出了在其中存储单元位于两个相交的电极的交点处的三维(3D)交叉点堆叠存储器件。所提出的存储器件可以为高密度数据存储提供最小的单元尺寸。然而,由于对于交叉点堆叠存储器件的按比例缩小的日益增加的需求,可能需要进一步减小存储器件中每个层的尺寸。在这种情形下,为了获得存储器件的期望可靠性,会需要控...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。