技术编号:11592844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单闸极多次写入非挥发性内存(Non-VolatileMemory),该非挥发性内存为单浮接闸极,利用轻掺杂汲极(LightDopingDrain,LDD)域当作电容,写入时以最少的控制电压种类及最少的元件,达到缩小整体面积的目的。背景技术互补式金属氧化半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)制程技术已成为特殊应用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit,ASIC)的常用制造方法。在计算机信...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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