技术编号:11613772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及气相外延沉积技术领域,特别是涉及一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备。背景技术氢化物气相外延(HVPE,HydrideVaporPhaseEpitaxy)设备为化合物生长工艺设备,主要用于在1000度左右高温环境下通过如H2、HCl等氢化物气体,使衬底表面外延生长一层如GaAs、GaN等的厚膜或晶体。外延层生长最重要的指标是其生长厚度及其组分的均匀性。这就要求衬底上方反应区内的各前驱物气体混合均匀,并具有较佳的气流均匀性。但采用现有的HVPE设备,在一片或多片衬底表面生长外...
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