技术编号：11619745
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开是关于一种光刻方法。背景技术在集成电路(IC)制造中，图案化光刻胶层用来将具有细小特征尺寸的设计图案从掩模转移至晶片。光刻胶为感光材料且可被光刻过程图案化。此外，光刻胶层提供对于蚀刻或离子植入的阻抗，因此需要足够的厚度。当IC技术持续地发展以产生更小的特征尺寸，例如缩小至32纳米、28纳米、20纳米或更小，厚度将因为阻抗的需求而无法再微缩化。足以涵盖更厚光刻胶的聚焦深度将降低影像分辨率。可使用多膜光刻胶以克服上述的挑战。然而，虽然各种此类多膜光刻胶通常已足以达到所欲之目的，但并非在每个方面...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。