技术编号:11621630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置相关申请的交叉引用本申请要求于___00,0000在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第0000-00000号的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。技术领域本发明涉及一种多晶硅制备装置,且更特别地,涉及这样的多晶硅制备装置,其用于促进清除在根据Siemens反应制备多晶硅过程中在基板的内壁上形成的硅粉尘和用于防止接地故障电流。此外,本发明涉及更容易地从基板去除硅粉尘的方法。背景技术用于制备多晶硅的CVD(化学气相沉积)室主要由镍或不锈...
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