技术编号:11625689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅基混合集成光电探测器技术领域,具体是指一种在SOI上集成的消逝场耦合的雪崩光电探测器。背景技术近年来,硅基光子学有了飞速的发展,硅基芯片上同时集成多种光有源和无源器件使得硅基集成的前景更加广阔。光电探测器是光子学系统中重要的元件,未来随着光子系统对高带宽、高集成度的要求越来越高,对探测器性能的要求也就越高。因为传统面入射探测器存在着带宽和响应度相互制约的问题,同时面入射器件与波导功能结构的集成也受到极大制约。波导型雪崩探测可以同时满足高响应度和带宽特性,并且相对于PIN探测器,雪崩二...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。