技术编号:11625997
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子技术领域,更进一步涉及模拟集成电路技术领域中的一种低温漂的全金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)基准电压源。本发明可以作为模拟电路和数模混合电路的重要部分,可用于为振荡器、LDO等模块提供稳定可靠的基准电压。背景技术集成电路工艺飞速发展,在集成电路设计中,基准电压源是一个关键模块,并被广泛应用于模拟电路、数字电路以及模数混合电路中。传统基准电压源通常采用“带隙”技术,结构上离不开大面...
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