技术编号：11627764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种提取芯片版图特征的方法、CMP仿真方法及系统。背景技术半个多世纪以来集成电路行业发展迅速，遵循着摩尔定律(Moore'sLaw)，晶圆上晶体管的集成密度每18个月提高一倍，相应的器件特征尺寸同步缩小为原来的0.7倍，先进的技术节点已达到65nm、45nm，甚至32nm、23nm。然而，随着集成电路特征尺寸的不断缩小，生产工艺中影响芯片性能和生产良率的因素越来越多，特别是进入65nm、45nm及以后的工艺节点，各种缺陷对成品率的影响程度愈显突出。理想的晶...
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