技术编号:11628280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LED芯片结构及其制备方法,尤其是一种具有全角度反射出光结构的LED倒装芯片及其制备方法。背景技术目前,金属反射层在可见光波段可以提供宽频宽以及大角度的高反射,然而金属卻有损耗的机制;而布拉格反射层(DistributedBraggreflector简称DBR)为介质反射结构,可视为一维光子晶体,提供了光子禁帶(photonicgap),当入射波段落在此光子禁帶內将会被全反射,并且不会产生损耗,然而DBR的反射率与入射角度有关,随着入射角度的增加,光子禁帶会朝高频漂移,而使反射率降...
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