技术编号:11631780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化物烧结材料、氧化物烧结材料的制造方法、溅射靶和半导体装置的制造方法。本申请要求于2015年9月16日提交的日本专利申请2015-182931号的优先权,并通过引用将其全部内容并入本文中。背景技术通常,在液晶显示装置、薄膜EL(电致发光)显示装置、有机EL显示装置等中主要使用无定形硅(a-Si)膜充当作为半导体装置的TFT(薄膜晶体管)的沟道层的半导体膜。近年来,作为替代a-Si的材料,包含铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的复合氧化物、即In-Ga-Zn基复合氧化物(也称为“IGZ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。