技术编号：11633125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在IC单元从基质分离之后对IC单元的加工。特别地，本发明涉及目的在于溅射工序的所述IC单元的加工。背景技术随着智能手机技术的发展，关于将模拟元件非常靠近的放置方面的压力也在增长，因此，消除毗邻的元件干扰的需求也在增长。用来阻挡无线电频率(RF)模块所产生的噪声和电磁干扰的电磁干扰(EMI)屏蔽层作为一项新的技术正在发展，并被视为优良的工序从而克服这些缺陷。为此目的，接收不同的适当的材料的溅射金属涂层的元件提供了较高的导电性和电磁屏蔽效率。由于不仅引入新的工艺并且还要中断所述工艺以使IC...
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