技术编号:11633130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及溅射。具体而言,但不通过限制的方式,本发明涉及用于单磁控管溅射的系统和方法。背景技术溅射在历史上包括在真空室中产生磁场以及使室内的等离子体束射到牺牲目标,从而使目标溅射(喷射)材料,其接着作为薄膜沉积在衬底上。溅射源可以采用磁控管,磁控管利用强电场和磁场来将带电的等离子体微粒限制为接近目标的表面。通常提供阳极以当离子离开以轰击目标时从等离子体收集电子以维持等离子体中性。然而,在使用中,阳极变得被涂覆有绝缘(电介质)材料,并且溅射过程不利地被影响。业界多年来试图提供限制在阳极上积聚的涂层...
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