技术编号:11636152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有内置电阻式存储器的电可重配置中介体背景领域本公开一般涉及集成电路(IC)。更具体地,本公开的一个方面涉及具有内置电阻式存储器的电可重配置中介体。背景用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工艺。FEOL工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、间隔物、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力内衬形成。MOL工艺可包括栅极触点形成。中部制程层可包括但不限于:MOL触点、通孔或非常靠近半导体设备晶体管或其他类似有源器件...
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