技术编号：11636160
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体电子器件的领域。具体来说，本发明涉及功率半导体模块以及功率半导体模块的叠层布置。背景技术基于宽带隙(WBG)材料、具体来说是单极材料(例如比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))的半导体开关因这些材料的固有优点(例如，比如在高操作温度下的低泄漏电流以及在低电流下的低损耗)而提供低切换损耗。因此，这类半导体开关还适合于高频应用。但是，例如，SiC基开关当前限制到与双极硅(Si)基的开关相比更小大小的芯片。例如，半导体模块中采用的双极Si开关的基区的典型尺寸为大约17×17mm2...
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