技术编号:11636272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造相关申请的交叉引用本专利申请要求在2014年12月5日提交的美国专利申请No.14/562,473,并且名称为“BARRIERFILMTECHNIQUESANDCONFIGURATIONSFORPHASE-CHANGEMEMORYELEMENTS”的优先权,出于所有目的在此其全部内容通过引用的方式被并入到本文中。技术领域本公开的实施例大体上涉及集成电路的领域,并且更具体地涉及用于相变存储器元件的阻挡膜技术与构造。背景技术相变存储器(PCM)技术(例如,多栈交叉...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。