用于满阱容量扩充的像素读出架构的制造方法与工艺技术资料下载

技术编号:11637383

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本文中所公开的系统和方法针对光传感器,并且具体而言,针对满阱容量扩充。背景技术满阱容量是像素在导致信号劣化的饱和之前可以保持的最大电荷。当像素中的电荷超过饱和水平时,电荷开始填充相邻像素,这是被称为高光溢出(blooming)的过程。传感器还开始偏离线性响应,并且因此损害了相机的量化性能。相机的动态范围通常被定义为满阱容量除以相机噪声,并且涉及相机同时记录亮信号旁边非常低的光信号的能力。动态范围(阱容量和本底噪声之间的比)是传感器能够有多好地在低光强度下测量准确信号一直到达到满阱容量的度量。给定...
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