技术编号:11638326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及发光二极管外延片及其制造方法。背景技术半导体发光二极管是一种将电能转化为光能的发光器件,广泛应用于人们的日常生活中。发光二极管芯片为半导体晶体,是发光二极管的核心组件。其中,发光二极管芯片一般包括外延片以及设于外延片上的电极。外延片一般包括衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层,其中,多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层,量子垒层与量子阱层相互交替生长。在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:现有的发光二极管外延片中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。