技术编号:11641265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种钯掺杂石墨相氮化碳纳米材料的制备方法及其应用。背景技术作为一种非金属半导体材料,石墨相氮化碳(g-C3N4)具有无毒,化学稳定性高,制备工艺简单、价格低廉和可见光激发等优点。六方晶系g-C3N4分子中的每个单元之间由N原子衔接,衔接处的N原子以sp3杂化的形式与相邻3个单元中的C原子形成共价键,单元中其他3个N原子以sp2杂化形式与邻边C原子形成共价键。g-C3N4材料中,N原子为C-N-C六元环共轭体系提供了基本条件,同时还提供了一对孤对电子。所以g...
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