技术编号：11647656
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施方式一般地涉及一种用于将材料均匀溅射沉积到基板上的高深宽比特征的底部和侧壁中的装置和方法。背景技术以可靠的方式产生亚半微米(sub-halfmicron)和更小的特征是半导体器件的下一代甚大规模集成(VLSI)和超大规模集成(ULSI)的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术不断地最小化，VLSI和ULSI技术中不断收缩尺寸的互连件已经对处理能力有额外的需求。例如，随着下一代器件的电路密度的增加，互连件(诸如通孔、沟槽、触点、栅极结构和其它特征、以及在它们之间的介电材料)的宽度减小...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。