技术编号：11647696
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及封装基板材料技术领域，特别公开一种铝碳化硅热沉基板及其制备方法。背景技术铝碳化硅(AlSiC)是把熔融的铝液渗透进泡沫碳化硅的三维网络结构中制成，它具有SiC和Al的双重网络结构，它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性、与芯片(Si,GaAs)相匹配的热膨胀系数(CTE)、耐受成千上万次热循环也不会失效，密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度，比W-Cu便宜得多,是新一代电子封装材料中的佼佼者，满足了封装的轻便化、高密度化等要求，是解决热管理问题的首选材料，属于第三代封...
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