技术编号:11647814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅技术领域,具体为一种单晶硅上料装置。背景技术单晶硅大多是用字拉法制备。在这种方法中,单晶硅锭的生产步骤如下:往熔炉中加入多晶硅,然后将一个籽晶加入硅熔体中,以一种足够达到晶锭所希望直径的方式提拉籽晶,并在那个直径下生长单晶。当在给熔炉加料的过程中,传统的加料方式,费时费力,而且容易发生堵塞,严重影响生产效率,因此需要改进。发明内容本发明的目的在于提供一种单晶硅上料装置,以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种单晶硅上料装置,包括底板和第二电机,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。