技术编号：11656048
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。含硅薄膜的高温原子层沉积本申请要求2016年1月20日提交的美国申请号62/280886的权益。申请号62/280886的公开内容由此通过引用并入。技术领域本文描述了用于形成含硅薄膜的组合物和方法。更具体地，本文描述了用于在约500℃或更高的一个或多个沉积温度下和采用原子层沉积(ALD)工艺形成氧化硅薄膜的组合物和方法。背景技术热氧化是在半导体应用中通常用于沉积高纯度和高保形性氧化硅薄膜例如二氧化硅(SiO2)的方法。然而，热氧化过程具有极低的沉积速率，例如，在700℃下低于(参见B.E.Dea...
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