技术编号:11656051
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及显示技术领域,且更具体地涉及一种制造半导体器件的方法、一种包括该半导体器件的阵列基板和一种包括该阵列基板的显示装置。背景技术随着平板显示技术的发展,以薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的显示器件备受关注。以硅材料(非晶硅和多晶硅)TFT作为驱动单元的液晶显示器件以其体积小、重量轻、品质高等优点而被广泛地使用。然而,非晶硅存在场效应迁移率低、光敏性强、材料不透明等缺点,而多晶硅TFT在应用于大尺寸面板时存在制作工艺复杂、低温工艺难以实现的缺点。氧化物半导体由于其高透过率、高迁移率和低沉积温...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。